13/08/2026Veri Anla Бул Perspective изилдөөсү кремний негизиндеги транзисторлордун масштабдоо жана энергия натыйжалуулугу чектөөлөрүнө каршы эки өлчөмдүү InSe жана In₂Se₃ материалдарын кийинки муундагы аз кубаттуу электроника үчүн баалайт. InSe жогорку электрон кыймылдуулугу, жогорку термиялык ташуучу ылдамдыгы жана төмөн эффективдүү электрон массасы менен өтө кыска каналдуу транзисторлор үчүн; In₂Se₃ болсо жарым өткөргүчтүк менен ферроэлектрдик поляризацияны айкалыштыргандыктан туруктуу эс тутум, logic-in-memory жана нейроморфтук түзмөктөр үчүн кызыктуу. Көбүрөөк көрүү
Бул сайтта кукилерге уруксат берүү тажрыйбаңызды жакшыртат. Куки саясаты
Бул кукилер веб-сайттын туура иштеши үчүн зарыл.
Бул кукилер коноктордун веб-сайт менен кантип иштешерин түшүнүүгө жардам берет.
Бул кукилер жекелештирилген жарнамаларды көрсөтүү үчүн колдонулат.
