13/08/2026Veri Anla Bu Perspective tədqiqatı silikon əsaslı tranzistorların miqyaslanma və enerji səmərəliliyi məhdudiyyətlərinə qarşı ikiölçülü InSe və In₂Se₃ materiallarını yeni nəsil azgüclü elektronika üçün qiymətləndirir. InSe yüksək elektron hərəkətliliyi, yüksək termal daşıyıcı sürəti və aşağı effektiv elektron kütləsi ilə ultraqısa kanallı tranzistorlar üçün; In₂Se₃ isə yarımkeçiriciliklə ferroelektrik qütblənməni birləşdirdiyinə görə qeyri-uçucu yaddaş, logic-in-memory və neyromorfik qurğular üçün diqqət çəkir. Daha çox baxın
Your experience on this site will be improved by allowing cookies Cookie Policy
Bu çerezler web sitesinin düzgün çalışması için gereklidir.
Bu çerezler, ziyaretçilerin web sitesiyle nasıl etkileşim kurduğunu anlamamıza yardımcı olur.
Bu çerezler kişiselleştirilmiş reklamları sunmak için kullanılır.
