01/08/2026Veri Anla Utafiti huu unachunguza muundo mpya wa MOSFET ya silicon carbide yenye trench isiyolingana, unaounganisha transistor ya uga ya junction iliyo normally-off (junction field-effect transistor, JFET) na njia mbili sambamba za uendeshaji wa mbele ndani ya cell moja. Tazama zaidi
Your experience on this site will be improved by allowing cookies Cookie Policy
Bu çerezler web sitesinin düzgün çalışması için gereklidir.
Bu çerezler, ziyaretçilerin web sitesiyle nasıl etkileşim kurduğunu anlamamıza yardımcı olur.
Bu çerezler kişiselleştirilmiş reklamları sunmak için kullanılır.