Ин таҳқиқот барои тавсифи ҳолатҳои электронии дом, ки дар нимноқилҳо электронҳо ё сӯрохиҳоро дошта, ба интиқоли барқӣ ва рекомбинатсия таъсир мерасонанд, бе сохтани p-n ё Schottky junction-и иловагӣ усули carrier- and trap-resolved photo-Hall (CTRPH)-ро таҳия мекунад. Натиҷаи асосии усул ин аст, ки relationship байни photo-Hall conductivity ва electrical conductivity, ки ҳангоми тағйир додани light intensity чен карда мешавад, дар зери single dominant trap model бо simple hyperbola equation тавсиф шуда метавонад. Бо истифода аз position, slope ва geometry-и hyperbola trap density, trap energy level ва electron-hole mobility ratio бароварда мешаванд.
Дар намунаи p-type silicon-on-insulator (p-SOI), аз hyperbola curve fitting trap density NT = 1,54 × 1014 cm−3 ва trap energy нисбат ба conduction-band edge ETC = 0,45 eV ёфт шудааст. Independent temperature analyses барои ҳамин sample тақрибан 1,66 × 1014 cm−3 ва 0,43 eV натиҷа додаанд. Дар n-type silicon NT = 2,5 × 1012 cm−3 муайян шуда, дар FAPbI3 perovskite film NT = 3,7 × 1012 cm−3 чен ва trap energy ҳамчун ETC ≈ 0,3–0,7 eV тахмин шудааст.
Хусусияти муҳими CTRPH ин аст, ки он танҳо traps-ро ошкор намекунад, балки аз ҳамон photo-Hall dataset electron ва hole densities, mobilities, recombination lifetimes, diffusion coefficients, diffusion lengths ва quasi-Fermi levels-ро вобаста ба light intensity бароварда метавонад. Муҳаққиқон мегӯянд, ки барои ҳар light-intensity setting то 17 carrier parameters ва илова бар ин чор parameter-и dominant trap state дастрас мешавад.
Аз нигоҳи Туркия, усул барои semiconductor materials research, photovoltaic materials, perovskites, sensor materials ва advanced electronic material characterization measurement approach-и пурқувватеро пешниҳод мекунад, ки дар research laboratories татбиқ мешавад. Бо вуҷуди ин, study industrial success-и мустақимро дар production line ё commercial semiconductor device нишон намедиҳад. Application laboratory-scale characterization method аст, ки variable temperature, controlled light intensity, Hall geometry, magnetic field ва sensitive electrical measurement infrastructure талаб мекунад.
Electronic trap чист ва чаро муҳим аст?
Дар study electronic traps ҳамчун ҳолатҳое баррасӣ мешаванд, ки аз defects ё impurities дар semiconductor ба вуҷуд омада, free charge carriers-ро гирифта ва баъд озод карда метавонанд. Мувофиқи source, point defects, dislocations, grain boundaries, stacking faults, surface states ва interface states дар байни possible sources of traps мебошанд.
Ин traps метавонанд free-carrier density ва recombination processes-ро тағйир дода conductivity-ро кам кунанд, carrier lifetime-ро кӯтоҳ созанд ва дар баъзе systems бо hysteresis, noise, leakage current ё unwanted power loss алоқаманд бошанд. Аз ин рӯ на танҳо шумораи traps, балки energy level ва interaction-и онҳо бо charge carriers барои semiconductor characterization муҳим аст.
Мушкил дар methods-и мавҷудаи trap measurement чист?
Муҳаққиқон мегӯянд, ки deep-level transient spectroscopy (DLTS), drive-level capacitance profiling, space-charge-limited current, thermal admittance spectroscopy, transient photoluminescence, time-resolved microwave conductivity ва different photo-Hall approaches истифода мешаванд.
Яке аз main limitations, ки CTRPH ҳадаф мегирад, ин аст, ки баъзе traditional methods барои measurement device structures-и иловагӣ ба мисли p-n ё Schottky junction талаб мекунанд. Сохтани чунин interface метавонад traps-и таҳқиқшавандаро тағйир диҳад ё traps-и нав илова кунад. Proposed approach бошад semiconductor film-и Hall-bar shape-ро мустақиман зери optical, electrical, magnetic ва temperature-controlled stimuli таҳқиқ мекунад.
Experimental setup чӣ гуна кор мекунад?
Figure 1A basic structure-и CTRPH experimental system-ро нишон медиҳад. Sample дар cryostat ҷойгир шудааст, ки temperature байни 20–340 K controlled мешавад. Дар ду тарафи sample rotating parallel dipole line (PDL) magnets oscillating magnetic field-и perpendicular ба sample бо magnitude тақрибан ±0,5 T месозанд.
Ҳамчун light source RGB laser ё Super K supercontinuum white laser бо monochromator истифода мешавад. Light intensity бо continuous neutral-density filter ва OD4 filter дар тақрибан ҳашт order of magnitude идора мешавад. Beam то diameter тақрибан 10 mm васеъ карда мешавад, то Hall sample uniformly illuminated шавад.
Electrical measurement system Keithley 2450 source-measure unit, Keithley 2182A nanovoltmeter ва Keithley 6485 picoammeter-ро дар бар мегирад. Дар custom PDL control box Raspberry Pi Compute Module 4, motor-control system, data-acquisition boards ва high-input-impedance Hall switching matrix ҷойгиранд.
Дар photo-Hall measurement кадом quantities истифода мешаванд?
Дар experiment, вақте light intensity stepwise зиёд мешавад, electrical conductivity σ ва Hall coefficient H чен мешаванд. Дар previous carrier-resolved photo-Hall approach slope-и σ2H versus σ бо difference байни electron ва hole mobilities алоқаманд буд.
Дар ин study барои ифодаи равшантари effect-и traps researchers quantity-и наверо бо номи “photo-Hall conductivity” муайян мекунанд:
\[ \sigma_{\mathrm{PH}}=\frac{\sigma^2H}{r\mu_0} \]
Дар ин ҷо r Hall scattering factor ва μ0 majority-carrier mobility аст. Дар analysis-и study r тақрибан 1 қабул мешавад.
Чаро пур шудани traps graph-ро хам мекунад?
Main physical message-и Figure 1B ин аст, ки дар low ва high light intensity ду transport regime-и гуногун пайдо мешаванд. Дар p-type silicon, дар low light intensity photo-generated minority-carrier electrons аввал trap states-ро пур мекунанд. Дар ин вақт conductivity асосан аз free majority-carrier holes меояд.
Бо зиёд шудани light intensity traps пур мешаванд. Баъд аз saturation, photo-generated electrons-и нав дар conduction band free мемонанд ва ба electrical transport contribution мекунанд. Аз ин рӯ slope-и σPH–σ curve тағйир ёфта characteristic bend ба вуҷуд меояд.
Дар σ2H–σ plot-и p-SOI sample asymptotic slopes дар low ва high light regions тақрибан +440 ва −990 cm2/Vs муайян шудаанд. Source ин values-ро бо majority-hole mobility ва electron-hole mobility difference дар p-type silicon мувофиқ медонад.
Hyperbola relationship чист?
Барои p-type semiconductor model бо single dominant trap level, researchers нишон медиҳанд, ки relationship байни σPH ва σ дар rotated coordinate system ба simple hyperbola equation оварда мешавад:
\[ \frac{{\sigma'_{\mathrm{PH}}}^{2}}{a^{2}} - \frac{{\sigma'}^{2}}{b^{2}} =1 \]
Дар ин ҷо σ′ ва σ′PH coordinates мебошанд, ки ба center-и hyperbola кӯчонда ва бо angle ϕ rotated шудаанд. Rotation angle-и hyperbola ба carrier mobility ratio вобаста аст:
\[ \beta=\frac{\mu_N}{\mu_P} \]
Дар p-type material μN electron mobility ва μP hole mobility-ро ифода мекунад.
Аз geometry-и hyperbola physical information чӣ гуна гирифта мешавад?
Дар model horizontal vertex position-и hyperbola асосан бо trap density NT, vertical position ё Δ separation аз center бо trap energy level алоқаманд аст. Дар higher trap density барои пур кардани traps photo-carriers бештар лозим шуда, turning point-и hyperbola ба higher conductivity ҳаракат мекунад.
Дар low temperature, вақте trap level нисбат ба kBT sufficiently deep аст, trap density аз difference байни hyperbola turning point σ1 ва dark conductivity σ0 тақрибан ҳисоб мешавад:
\[ \widetilde{N}_T= \frac{\sigma_1-\sigma_0}{e\mu_0} \]
Physical interpretation-и ин relationship ин аст, ки дар turning point existing traps бо photo-generated minority carriers то ҳадди зиёд пур шудаанд.
Trap energy level чӣ гуна муайян мешавад?
Study ду approach истифода мекунад. Дар аввал Δ separation дар hyperbola geometry ва other fit parameters истифода мешаванд. Дар p-SOI sample Δ = 0,462 S/m чен шуда, аз он ETC = 0,46 eV гирифта шудааст. Ин value ба 0,45 eV аз direct hyperbola fitting наздик аст.
Дар method-и дуюм temperature тағйир дода мешавад. Бо temperature dependence-и slope S0 дар dark point Arrhenius analysis иҷро мешавад:
\[ \ln \left[ \frac{1-S_0} {(\beta+S_0-1)(1+\beta)T^{1.5}} \right] = c_0-\frac{E_{TC}}{k_BT} \]
Дар Figure 2, барои p-SOI sample аз linear slope дар 300–340 K region-и measurements between 260–340 K ETC = 0,43 eV ҳисоб шудааст.
Дар p-type SOI silicon кадом results гирифта шуданд?
Thickness-и p-type SOI layer, ки дар first experiment истифода шуд, 5,0 μm аст. Figure 1 measurement дар 300 K, wavelength 615 nm ва maximum light intensity 157 mW/cm2 анҷом дода шудааст.
Hyperbola curve fitting ин parameters-ро дод:
- β = 3,26
- NT = 1,54 × 1014 cm−3
- ETC = 0,45 eV
Дар variable-temperature measurement 260–340 K laser 550 nm ва maximum intensity 165 mW/cm2 истифода шуд. Аз low-temperature hyperbola vertices NT = 1,66 × 1014 cm−3, ва аз high-temperature Arrhenius analysis ETC = 0,43 eV гирифта шуд.
Researchers мегӯянд, ки low temperature hyperbola vertex-ро барои trap density sharper мекунад, high temperature бошад stronger change дар S0 slope барои determining trap energy level медиҳад.
Оё method дар n-type silicon кор мекунад?
Study CTRPH approach-ро ба n-type silicon низ татбиқ кард. Аз high-light-regime slope β = 3,24 ва minority-carrier hole mobility μP = 526 cm2/Vs гирифта шуд.
Trap density аз turning point ҳисобшуда:
NT = 2,5 × 1012 cm−3
дода шудааст. Азбаски turning region-и curve васеътар буд, energy separation Δ дақиқ муайян нашуд; бинобар ин танҳо upper bound-и ETV < 0,55 eV reported шудааст.
Дар perovskite кадом material истифода шуд?
CTRPH инчунин ба formamidinium-rich FAPbI3 perovskite thin film татбиқ шудааст. Film бо MACl additive омода ва ба six-terminal Hall-bar sample бо thickness тақрибан 700 nm, яъне 0,7 μm табдил дода шудааст.
Sample дар 615 nm light ва maximum 16 mW/cm2 light intensity таҳқиқ шуд. Figure 3 нишон медиҳад, ки material p-type аст ва transport regime-и гуногун дорад, ки hole mobility аз electron mobility баландтар мебошад.
Trap density дар FAPbI3 perovskite чанд аст?
Бо истифода аз turning point-и hyperbola-like curve дар Figure 3A:
NT = 3,7 × 1012 cm−3
гирифта шудааст. Мувофиқи study, ин value барои thickness 0,7 μm аз limit тақрибан NT,min ≈ 1015 cm−3, ки барои баъзе junction-capacitance-based trap-extraction methods дода мешавад, хеле поён аст.
Азбаски perovskite hyperbola хеле smooth аст, Δ separation sufficiently precise муайян нашуд. Researchers trap energy-ро на ҳамчун single exact value, балки дар range-и ETC ≈ 0,3–0,7 eV тахмин мекунанд.
Verianla Live: Main trap parameters extracted by CTRPH
Values-и зер “performance score”-и якхела нестанд. NT volume density-и electronic traps-ро ва energy column trap-energy parameter-ро нисбат ба relevant band edge-и study нишон медиҳад. Барои p-SOI, main 300 K hyperbola fit ҳамчун basis истифода шуда, independent temperature analysis дар note column алоҳида оварда шудааст.
| Sample | Trap density NT (cm−3) | Trap energy | Extraction / interpretation |
|---|---|---|---|
| p-type SOI silicon | 1,54 × 1014 | ETC = 0,45 eV | 300 K hyperbola fit; independent temperature analysis NT = 1,66 × 1014 cm−3 ва ETC = 0,43 eV |
| n-type silicon | 2,5 × 1012 | ETV < 0,55 eV | Азбаски curve васеъ буд, танҳо energy upper bound дода шуд. |
| FAPbI3 perovskite | 3,7 × 1012 | ETC ≈ 0,3–0,7 eV | Аз сабаби smooth hyperbola energy ҳамчун range тахмин шуд. |
Verianla Live: Visualization танҳо аз values-и visible source table сохта мешавад. Table ҳамчун scientific source-of-truth нигоҳ дошта мешавад. Trap densities набояд ҳамчун direct “quality ranking” байни materials ва measurement conditions-и гуногун тафсир шаванд.
Дар perovskite дар бораи carrier transport боз чӣ чен шуд?
Figure 3B–E carrier densities, mobilities, recombination lifetimes ва diffusion lengths-ро вобаста ба absorbed photon density нишон медиҳад.
Study барои perovskite film дар maximum light intensity тақрибан 0,16-sun equivalent values-и тақрибии:
- mobility μ ≈ 40 cm2/Vs,
- recombination lifetime τ ≈ 100 ns,
- diffusion length LD ≈ 3 μm
ро reported мекунад. Инҳо carrier parameters мебошанд, ки барои specific FAPbI3 Hall-bar sample ва measurement conditions-и study бароварда шудаанд.
CTRPH чанд parameter дода метавонад?
Вақте traps ба model илова мешаванд, researchers electron density in traps nT, free-electron photocarrier density Δn ва hole photocarrier density Δp-ро алоҳида ҳал мекунанд.
Аз инҳо electron ва hole mobilities, recombination lifetimes, electron/hole/ambipolar diffusion coefficients ва diffusion lengths, quasi-Fermi levels, quasi-Fermi level splitting ва ideality factor ҳисоб мешаванд. Source инро ҳамчун то 17 × N carrier parameters барои N different light intensities ифода мекунад. Илова бар ин, four trap parameters — density, energy level ва electron/hole recombination capture cross-sections — бароварда мешаванд.
Main message-и Figure 1 чист?
Figure 1 аз four parts иборат аст. Panel A experimental setup; Panel B two transport regimes-и trap filling at low light ва saturation at high light; Panel C hyperbola fitted to experimental data ва effect-и NT ва ETC on curve geometry; Panel D бошад four basic CTRPH curve shapes expected for p-type/n-type ва different electron-hole mobility ratios-ро нишон медиҳад.
Аз ин рӯ scientific message-и figure танҳо “curve hyperbola аст” нест. Turning point-и hyperbola ба trap filling, asymptotic slopes ба carrier mobility ratio ва temperature-dependent curve shape ба trap energy пайваст мешаванд.
Main message-и Figure 2 чист?
Figure 2 нишон медиҳад, ки temperature дар separating trap density ва trap energy complementary role дорад. Ба 260 K наздик hyperbola sharp мешавад ва determining turning point ва NT осон мегардад; дар 300–340 K region change-и initial slope with temperature sensitivity-и кофӣ барои Arrhenius analysis медиҳад.
Main message-и Figure 3 чист?
Figure 3 нишон медиҳад, ки CTRPH танҳо ба well-known material ба мисли silicon вобаста нест ва дар FAPbI3 perovskite бо different carrier-mobility regime низ истифода мешавад. Panel A trap-filling-related bending, Panel B free ва trapped carrier densities, Panels C–E бошад light-intensity-dependent mobility, lifetime ва diffusion length-ро нишон медиҳанд.
Assumption-и муҳимтарини model чист?
Theoretical model-и CTRPH дар ин study single dominant trap бо narrow energy level-ро фарз мекунад. Researchers ошкоро мегӯянд, ки real materials метавонанд multiple trap levels, distributed traps, tail states, Urbach tail ва different carrier mobility distributions дошта бошанд.
Дар чунин complex systems σPH–σ curve mathematical exact hyperbola буданаш шарт нест, аммо similar two-regime behavior — trap filling ва trap saturation — метавонад нигоҳ дошта шавад. Detailed analysis-и multi-level trap systems дар ин study анҷом нашуда ва барои future research мондааст.
Натиҷаҳое, ки study дастгирӣ мекунад
- Дар CTRPH measurements trap filling characteristic bending дар σPH–σ relationship ба вуҷуд овард.
- Дар single dominant trap model ин relationship бо hyperbola equation тавсиф шуд.
- Барои p-SOI independent extraction approaches ба ҳам наздик NT ва ETC values доданд.
- Method ҳам дар p-type ва ҳам n-type silicon татбиқ шуд.
- Method дар FAPbI3 perovskite thin film trap density-и 3,7 × 1012 cm−3-ро баровард.
- Photo-Hall data на танҳо trap parameters, балки many light-intensity-dependent charge-carrier parameters-ро низ ҳал кард.
Натиҷаҳое, ки study дастгирӣ намекунад ё ҳанӯз насанҷидааст
- Исбот нашудааст, ки CTRPH дар all semiconductor materials ва all multi-trap distributions бо ҳамон simple hyperbola equation кор мекунад.
- Single dominant trap model нишон намедиҳад, ки distributed ё closely spaced multiple trap levels-ро fully represent мекунад.
- Carrier parameters ченшуда дар FAPbI3 Hall-bar sample direct power-conversion efficiency-и complete solar cell нестанд.
- Low NT values ба танҳоӣ long-term stability ё commercial success-и device-ро guarantee намекунанд.
- Study нишон намедиҳад, ки CTRPH system дар mass-production semiconductor lines economically ё operationally validated шудааст.
Усул ва Натиҷаҳои Таҳқиқот
Technical parameters-и CTRPH experimental system
| Item | Value / method reported in study |
|---|---|
| Temperature-control range | 20–340 K |
| Magnetic field | B = ±0,5 T |
| Magnetic system | Rotating NdFeB parallel dipole line (PDL) magnets |
| Light sources | RGB laser ва Super K supercontinuum laser with monochromator |
| Light-intensity control | CNDF + OD4; тақрибан eight orders of magnitude |
| Beam coverage diameter | Тақрибан 10 mm |
| Source/measurement device | Keithley 2450 |
| Voltage measurement | Keithley 2182A nanovoltmeter |
| Photodetector current | Keithley 6485 picoammeter |
| Control computer | Raspberry Pi Compute Module 4 + Windows/MATLAB client |
p-SOI Hall sample
| Parameter | Value |
|---|---|
| Silicon layer thickness | 5,0 μm |
| Geometry | Six-terminal Hall bar |
| Electrode | 200 nm Au |
| Figure 1 measurement temperature | 300 K |
| Figure 1 laser wavelength | 615 nm |
| Figure 1 maximum light intensity | 157 mW/cm2 |
| Temperature series | 260–340 K |
| Temperature-series laser | 550 nm; maximum 165 mW/cm2 |
Comparison-и independent trap extractions барои p-SOI
| Method | NT | ETC |
|---|---|---|
| 300 K hyperbola fit | 1,54 × 1014 cm−3 | 0,45 eV |
| Δ in hyperbola geometry | — | 0,46 eV |
| Low-temperature vertex position + temperature analysis | 1,66 × 1014 cm−3 | 0,43 eV |
Наздик будани results аз different methods дар study ҳамчун яке аз main experimental controls-и supporting internal consistency of CTRPH model тафсир мешавад.
n-type silicon results
| Parameter | Result |
|---|---|
| β | 3,24 |
| Minority-hole mobility μP | 526 cm2/Vs |
| Trap density NT | 2,5 × 1012 cm−3 |
| Trap-energy upper bound | ETV < 0,55 eV |
Preparation-и FAPbI3 perovskite sample
FAPbI3 black powder бо dissolving PbI2 ва FAI дар 1:1 molar ratio дар 2-methoxyethanol омода шуд. Solution аз 0,45 μm PVDF filter гузаронда, дар 120°C як соат processed ва resulting powder дар 60°C 24 соат dried шуд.
Дар perovskite precursor solution 1550 mg FAPbI3 ва 61 mg MACl дар 1 ml DMF/DMSO (4:1) dissolved шуданд. Аз filtered solution through 0,2 μm filter, 70 μl ба 2,5 × 2,5 cm glass substrate бо spin-coating дар 8000 rpm барои 50 seconds coated шуд.
Дар second 10-и coating 1 ml diethyl ether dropped шуда, film аввал дар 150°C 15 minutes ва баъд дар 100°C 30 minutes annealed шуд. Final film thickness тақрибан 700 nm аст.
Perovskite CTRPH results
| Parameter | Result reported in study |
|---|---|
| Film | FAPbI3 + MACl |
| Thickness | 0,7 μm |
| Laser | 615 nm |
| Maximum light intensity | 16 mW/cm2 |
| Trap density | 3,7 × 1012 cm−3 |
| Trap energy | ETC ≈ 0,3–0,7 eV |
| Mobility, near maximum light | ≈ 40 cm2/Vs |
| Recombination lifetime | ≈ 100 ns |
| Diffusion length | ≈ 3 μm |
Main technical limitations-и study
Model single dominant trap бо narrow energy level-ро фарз мекунад. Multiple traps, energy distributions, band-tail states ва mobility distributions метавонанд дар real materials curves-и complexтар ба вуҷуд оранд. Researchers пешбинӣ мекунанд, ки hyperbola-like two-regime behavior дар ин conditions метавонад идома ёбад, аммо detailed multi-level trap solution дар ин study experimentally анҷом нашудааст.
Trap-energy extraction низ ба shape-и curve sensitive аст. Дар sharp hyperbola-и p-SOI energy level аз different routes хуб муайян мешавад, аммо дар n-type silicon ва махсусан perovskite smooth bending precision-и energy level-ро кам кард. Аз ин рӯ барои perovskite ба ҷойи single exact ETC range-и 0,3–0,7 eV дода шудааст.
Main text инчунин барои many detailed analyses ба Supplementary Text, Figures S1–S9 ва Tables S1–S5 ишора мекунад. Азбаски uploaded main file ин supplementary pages-ро надорад, explanation-и Verianla ба results-и directly reported in main article асос ёфтааст.
Эзоҳи Манбаъ ва Усул
Номи пурраи аслии кор: Electronic trap detection with carrier-resolved photo-Hall effect
Муаллифон: Oki Gunawan; Chaeyoun Kim; Bonfilio Nainggolan; Minyeul Lee; Jonghwa Shin; Dong Suk Kim; Yimhyun Jo; Minjin Kim; Julie Euvrard; Douglas Bishop; Frank Libsch; Teodor Todorov; Yunna Kim; Byungha Shin.
Тартиби муаллифон: Дар source бо order-и боло дода шудааст.
Equal contribution: Oki Gunawan ва Chaeyoun Kim дар source бо equal-contribution mark нишон дода шудаанд.
Corresponding authors: Oki Gunawan — ogunawa@us.ibm.com; Byungha Shin — byungha@kaist.ac.kr.
Institutions: IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, USA; Department of Materials Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Daejeon, South Korea; Department of Physics, Arizona State University, Tempe, USA; Ulsan Advanced Energy Technology R&D Center, Korea Institute of Energy Research, Ulsan, South Korea; Graduate School of Carbon Neutrality, Ulsan National Institute of Science and Technology, Ulsan, South Korea; Department of Physics and Centre for Processable Electronics, Imperial College London, United Kingdom.
Source type: Peer-reviewed original research article — Research Article.
Field: Applied Sciences and Engineering.
Journal: Science Advances.
Publisher: American Association for the Advancement of Science (AAAS).
Volume / issue / article number: 12(1), eadz0460.
ISSN: 2375-2548.
Official publication link:Science Advances article page
Submission date: 15 May 2025.
Acceptance date: 25 November 2025.
Publication date: 1 January 2026.
Peer-review status: Research Article published in Science Advances category of scientific publication that passes peer review мебошад.
License: Creative Commons Attribution 4.0 International (CC BY 4.0).
Funding: Study аз National Research Foundation of Korea тавассути Korean government MSIT бо grants RS-2023-00208832 ва RS-2022-NR068162; BK21FOUR R&E Initiative for K-Materials Global Innovation program; ва барои Julie Euvrard бо Royal Society Research Grants 2023 Round 2 — RG/R2/232246 support маблағгузорӣ шудааст. Oki Gunawan инчунин IBM Exploratory Science Research program-ро дар acknowledgments зикр кардааст.
Author contributions: Conceptualization — Oki Gunawan ва Byungha Shin; experimental setup development — Oki Gunawan ва Chaeyoun Kim; measurements — Oki Gunawan ва Chaeyoun Kim; sample fabrication — Jonghwa Shin, Minyeul Lee, Dong Suk Kim, Yimhyun Jo, Minjin Kim, Teodor Todorov ва Chaeyoun Kim; theoretical model development ва validation — Oki Gunawan, Bonfilio Nainggolan, Julie Euvrard ва Chaeyoun Kim; data analysis ва interpretation — Oki Gunawan, Chaeyoun Kim, Bonfilio Nainggolan, Byungha Shin, Julie Euvrard ва Frank Libsch. Writing tasks низ дар source бо multiple author contributions алоҳида нишон дода шудаанд.
Conflict of interest: PDL carrier-resolved photo-Hall system used in study дар IBM developed шудааст ва source multiple US ва international patents, plus a 2025 patent application related to Oki Gunawan/IBM-ро list мекунад. Other authors no other conflict of interest reported.
Data and materials availability: Authors мегӯянд, ки data ва code needed to evaluate and reproduce results дар article ва/ё Supplementary Materials мавҷуданд.
Source-internal note: Solar-cell literature linked to perovskite-material preparation дар different sections of text бо %25,4 ва %25,7 power-conversion efficiencies ёд мешавад. Ин values direct measured device efficiency-и Hall-bar film studied by CTRPH нестанд ва дар ин ҷо ба single value reconciled нашудаанд. Copyright year дар first page-и PDF 2026, дар final bibliographic page 2025 дида мешавад; license information дар ҳар ду place CC BY 4.0 аст.
Scientific content-и ин Verianla article танҳо ба published research-и Gunawan ва colleagues асос ёфтааст. External sources танҳо барои bibliographic verification of publication identity ва peer-review status истифода шуда, new semiconductor performance result ё trap measurement аз берун илова нашудааст.
Main methodological boundary-и study ин аст, ки detailed theoretical extraction ба single dominant trap with narrow energy level model асос ёфтааст. Materials with multiple or distributed trap levels метавонанд behavior-и complexтар нишон диҳанд. Илова бар ин, uploaded main file Supplementary Text, S1–S9 figures ва S1–S5 tables-и cited by study-ро надорад, аз ин рӯ explanation ба results visible in main article маҳдуд шудааст.
Шарҳ гузоред
Нишонии почтаи электронии шумо нашр намешавад. Майдонҳои ҳатмӣ бо * нишон дода шудаанд