Taelim Lee ve çalışma arkadaşları, HfO₂ tabanlı metal–yalıtkan–metal (MIM) kapasitörlerde alüminyumun film boyunca homojen biçimde dağıtılması yerine kontrollü bir konsantrasyon gradyanı oluşturulmasının dielektrik performansı nasıl değiştirdiğini deneysel olarak araştırdı. Her iki cihaz türünde de toplam 90 atomik katman biriktirme çevrimi kullanıldı ve toplam HfO₂ ile Al katkılama çevrimi sayıları aynı tutuldu; temel fark Al içeren çevrimlerin film içindeki konumuydu. 600°C'de 30 saniyelik tavlama sonrasında homojen katkılı yapının dielektrik sabiti yaklaşık 44,7 iken gradyan katkılı yapıda 60,7'ye çıktı. Bu yaklaşık %35,8 artışa karşılık geldi. Aynı karşılaştırmada eşdeğer oksit kalınlığı 0,96 nm'den 0,71 nm'ye düşerken 1 V'deki kaçak akım yoğunluğu 3,49×10⁻⁵ A/cm²'den 3,51×10⁻⁶ A/cm²'ye indi. XPS ve GIXRD sonuçları, gradyan katkılamanın Al dağılımını gerçekten değiştirdiğini, oksijen boşluğu sinyalini azalttığını ve yüksek dielektrik sabitli tetragonal HfO₂ fazının oluşumunu desteklediğini gösterdi. Bununla birlikte bir mertebelik kaçak akım azalması bütün sıcaklıklarda görülmedi ve gradyan katkının faz dönüşümünü desteklediği öne sürülen mekanik gerilim doğrudan ölçülmedi.

Türkiye açısından çalışma özellikle yarı iletken proses geliştirme, DRAM kapasitör dielektrikleri ve ALD tabanlı yüksek-k ince film araştırmaları bakımından teknik olarak önemlidir. Araştırmanın dikkat çekici yönü, yeni bir malzeme sistemi veya ek bir üretim modülü eklemek yerine mevcut ALD reçetesindeki katkılı çevrimlerin dağılımını değiştirerek performans artışı elde etmesidir. Ancak sonuçların Türkiye'deki veya başka bir üretim hattındaki ALD ekipmanına doğrudan aktarılması için prekürsör akışı, reaktör geometrisi, elektrot yapısı, film kalınlığı, termal bütçe ve uzun dönem cihaz güvenilirliğinin yeniden doğrulanması gerekir.

Araştırmanın temel problemi nedir?

DRAM gibi yüksek yoğunluklu bellek teknolojilerinde kapasitörün fiziksel alanı küçüldükçe yeterli kapasitansı korumak giderek zorlaşır. MIM kapasitörlerde bu sorunun temel çözüm yollarından biri, fiziksel kalınlık çok fazla azaltılmadan yüksek dielektrik sabitine sahip bir yalıtkan kullanmaktır.

Hafniyum oksit (HfO₂) bu nedenle önemli yüksek-k dielektrik adaylarından biridir. Ancak HfO₂'nin elektriksel davranışı yalnız kimyasal bileşimine değil kristal fazına da bağlıdır.

Kaynağa göre HfO₂'nin tipik monoklinik fazı görece daha düşük dielektrik sabitine sahipken tetragonal faz daha yüksek dielektrik sabiti sağlayabilir. Sorun, tetragonal fazın klasik olarak yüksek tavlama sıcaklıkları gerektirebilmesi ve bu sıcaklıkların yarı iletken üretimindeki diğer katmanlar açısından istenmeyen bir termal yük oluşturabilmesidir.

Gradyan katkılama fikri nereden geliyor?

Çalışmada iki yol birlikte kullanılıyor:

• HfO₂ filmine mekanik gerilim sağlayabilen TiN elektrotlar,
• HfO₂ içine Al katkılama.

Araştırmacıların yeniliği, Al katkısını bütün film boyunca yaklaşık homojen dağıtmak yerine film kalınlığı boyunca kontrollü biçimde değişen bir Al konsantrasyon gradyanı oluşturmak.

Yazarların hipotezine göre bu bilinçli homojensizlik HfO₂ matrisi içindeki gerilim dağılımını değiştirerek tetragonal fazın oluşmasını kolaylaştırabilir.

Burada önemli bilimsel sınır şudur: filmdeki mekanik gerilim doğrudan ölçülmemiştir. Al difüzyonu ve atomik kütle dağılımındaki dengesizliğin ek stres oluşturduğu açıklaması, yapısal ve elektriksel sonuçlara dayanarak önerilen mekanizmadır.

Homojen ve gradyan katkı gerçekten aynı miktarda Al içeriyor mu?

Karşılaştırmanın güçlü yönlerinden biri budur. Her iki ALD reçetesinde de toplam çevrim sayısı 90 olarak tutulmuştur:

• Standart HfO₂ çevrimi: 80 çevrim,
• Al katkılı çevrim: 10 çevrim.

Dolayısıyla araştırmacılar temel olarak toplam katkı miktarını değil, katkının film içindeki uzaysal dağılımını değiştiriyor.

XPS ölçümlerinde toplam Al katkı konsantrasyonu yaklaşık %1,6 ve hata aralığı %0,1'in altında olarak bildiriliyor.

Homojen katkı reçetesi nasıl oluşturuldu?

Standart HfO₂ ALD çevrimi kaynak Şekil 1'de mavi, Al katkılı çevrim ise kırmızı olarak temsil edilmiştir.

Homojen katkılamada bir Al katkılı çevrim, sabit sayıda standart HfO₂ çevriminin arasına periyodik olarak yerleştirilmiştir. Kaynakta bu aralık:

N = 4 çevrim

olarak verilmektedir.

Böylece film kalınlığı boyunca Al içeren çevrimlerin yaklaşık düzenli aralıklarla tekrarlanması hedeflenmiştir.

Gradyan katkı reçetesi nasıl farklılaştırıldı?

Gradyan yapıda ilk Al katkılı çevrimden önce:

M = 14 standart HfO₂ çevrimi

uygulanmıştır.

Daha sonraki katkılama noktalarında Al çevrimleri arasındaki standart HfO₂ çevrimlerinin sayısı aşamalı biçimde azaltılmıştır. Böylece filmin üst tarafına doğru Al katkısının yoğunlaşması sağlanmıştır.

Önemli olan, bu yeniden düzenleme sırasında toplam 80 standart ve 10 katkılı çevrim sayısının değişmemesidir.

ALD kimyası nasıl yürütüldü?

Hf kaynağı olarak tetrakis(dimethylamido)hafnium (TDMAH), Al kaynağı olarak trimethylaluminum (TMA), oksitleyici olarak H₂O ve taşıyıcı/purge gazı olarak Ar kullanılmıştır.

Kaynakta verilen temel pulse süreleri:

• TDMAH: 3 s,
• TMA: 1 s,
• H₂O: 1 s,
• Ar purge: 30 s.

ALD odası 200°C'de çalıştırılmış ve HfO₂ için çevrim başına büyüme yaklaşık 0,12 nm/çevrim olarak bildirilmiştir.

Şekil 1 neden önemli?

Kaynağın 3. sayfasındaki Şekil 1, çalışmanın yeniliğini doğrudan gösteriyor. Standart HfO₂ çevrimi ve Al katkılama çevrimi kimyasal adımlarıyla birlikte verilmiş; ardından homojen ve gradyan reçetelerde aynı toplam çevrimlerin film içinde farklı dağıtıldığı gösterilmiştir.

Bu nedenle çalışma yalnız “Al katkılı HfO₂ yüksek k verdi” sonucuna dayanmıyor. Deneyin asıl değişkeni, aynı katkı miktarının film boyunca nasıl dağıtıldığıdır.

XPS gradyanın gerçekten oluştuğunu gösterdi mi?

Evet. XPS derinlik profilleri homojen katkılı filmde Al sinyalinin film boyunca görece düzenli kaldığını, gradyan katkılı filmde ise üst bölgede daha yüksek, alt bölgeye doğru daha düşük Al konsantrasyonu bulunduğunu göstermektedir.

Bu sonuç, ALD reçetesindeki çevrim düzenlemesinin yalnız teorik bir program değişikliği olmadığını; fiziksel filmde ölçülebilir bir konsantrasyon profili oluşturduğunu destekliyor.

Oksijen boşluklarında ne görüldü?

Kaynağın Şekil 2'deki O 1s XPS ayrıştırmasında homojen film için oksijen boşluğu bileşeni yaklaşık %5,52, gradyan katkılı film için yaklaşık %4,04 olarak gösterilmektedir.

Yazarlar bunu, gradyan yapının Al bakımından daha zengin üst bölgesinin tavlama sırasında oksijen kaybını sınırlayabilmesiyle açıklamaktadır.

Oksijen boşluklarının elektriksel kaçak için iletim yolu oluşturabileceği değerlendirildiğinden, daha düşük boşluk sinyali 600°C'deki daha düşük kaçak akımla uyumlu bir bulgu olarak yorumlanmıştır.

Bununla birlikte XPS sonucu ile elektriksel performans arasındaki bağlantı mekanistik olarak anlamlı olsa da çalışma bütün kaçak akım taşıma mekanizmalarını ayrı ayrı nicel olarak çözümlememektedir.

Kristal fazlar nasıl değişti?

Grazing-incidence X-ray diffraction (GIXRD) ölçümleri 400, 500 ve 600°C tavlama sonrasında gerçekleştirilmiştir.

400°C: Hem homojen hem gradyan filmlerde ağırlıklı olarak amorf davranış görülmüştür.

500°C: Homojen katkılı film hâlâ belirgin amorf karakter taşırken gradyan katkılı filmde tetragonal HfO₂'ye atfedilen yaklaşık 30,47°'deki t(011) piki ortaya çıkmaya başlamıştır.

600°C: Her iki filmde güçlü tetragonal kristalleşme görülmüş; ancak gradyan katkılı yapıda tetragonal pik daha güçlü, monoklinik faz pikleri daha zayıf bulunmuştur.

600°C'deki faz oranları neydi?

Şekil 3'teki pik ayrıştırması gradyan katkılı 600°C örneği için yaklaşık:

• Tetragonal faz: %96,06,
• Monoklinik faz: %3,94

gösterirken homojen katkılı örnekte:

• Tetragonal faz: %86,73,
• Monoklinik faz: %13,27

değerleri gösterilmektedir.

Bu sonuç, gradyan katkının yüksek-k tetragonal fazın göreli payını artırdığı yönündeki ana yapısal kanıtı oluşturmaktadır.

Tane boyutu da değişti mi?

Tetragonal pikin tam genişlik-yarı maksimum (FWHM) değeri kullanılarak Scherrer eşitliğiyle tane boyutu hesaplanmıştır:

\[ D=\frac{K\lambda}{\beta\cos\theta} \]

Burada:

• D: HfO₂ kristalit/tane boyutu,
• K: yaklaşık 0,9 alınan Scherrer sabiti,
• λ: 0,1540598 nm X-ışını dalga boyu,
• β: FWHM,
• θ: Bragg açısıdır.

600°C için hesaplanan değerler:

• Gradyan katkılı: 9,72 nm,
• Homojen katkılı: 9,28 nm.

Yazarlar daha yüksek tetragonal faz oranının ve daha düşük kafes bozulmasının tane sınırı hareketliliğini destekleyebileceğini ve bunun biraz daha büyük tane boyutuna katkıda bulunabileceğini öne sürmektedir.

Dielektrik sabiti sıcaklıkla nasıl değişti?

Bu seri, gradyan katkının etkisinin 400°C'de güçlü olmadığını, 500°C'de ortaya çıkmaya başladığını ve 600°C'de çok daha belirgin hâle geldiğini gösteriyor.

EOT neden önemli?

Eşdeğer oksit kalınlığı veya EOT, yüksek-k bir dielektriğin elektriksel kapasitansını aynı kapasitansı sağlayacak SiO₂ kalınlığıyla ifade eden ölçüttür. Daha düşük EOT, yüksek kapasitans yoğunluğu açısından avantajlıdır.

600°C'deki gradyan yapı, aynı fiziksel film sınıfında yüksek dielektrik sabiti sayesinde EOT'yi 0,25 nm azaltmıştır.

Kaçak akımda ne oldu?

Bu tablo önemli bir nüansı ortaya koyuyor. Gradyan katkı 600°C'de yaklaşık bir mertebelik kaçak akım iyileşmesi sağlamıştır. Ancak 500°C'de gradyan örneğin kaçak akımı homojen örneğe göre biraz daha yüksektir.

Dolayısıyla “gradyan katkı kaçak akımı her tavlama koşulunda bir mertebe azaltır” biçiminde bir genelleme kaynak verileri tarafından desteklenmemektedir.

Neden 600°C'de hem daha yüksek k hem daha düşük kaçak akım elde edildi?

Kristalleşen yüksek-k malzemelerde tane sınırları ve oksijen boşlukları kaçak akım yolları oluşturabilir. Gradyan katkılı 600°C örneğinde kaynak iki olumlu yapısal özellik raporlamaktadır:

• daha büyük hesaplanan tane boyutu,
• daha düşük oksijen boşluğu XPS bileşeni.

Daha büyük taneler daha az tane sınırı anlamına gelebilir; daha düşük oksijen boşluğu yoğunluğu da elektriksel kaçak yollarının azalmasına katkı sağlayabilir. Araştırmacılar 600°C'deki kaçak akım iyileşmesini bu yapısal değişikliklerle ilişkilendirmektedir.

16 cihazlık karşılaştırma ne gösterdi?

600°C'de 30 saniye tavlanan 16 gradyan katkılı ve 16 homojen katkılı cihazın dielektrik sabitleri ayrı ayrı ölçülmüştür.

Kaynak, tekrarlanan cihazlarda benzer eğilim elde edildiğini ve gradyan katkılı grubun dielektrik sabitinin homojen gruba kıyasla ortalama yaklaşık 15,7 birim daha yüksek olduğunu bildirmektedir.

Ancak çalışmada bu iki 16 cihazlık dağılım için açık bir p-değeri, güven aralığı veya ayrı inferansiyel anlamlılık testi raporlanmamıştır. Bu nedenle Verianla sonucu “istatistiksel olarak anlamlı artış” olarak yeniden etiketlememektedir.

“En yüksek k değeri” iddiası ne anlama geliyor?

Makalenin Tablo 2'sinde önceki HfO₂ tabanlı MIM çalışmalarından Al, Nb, Y, Zr ve Ti katkı örnekleri karşılaştırılmıştır. Bu tabloda önceki çalışmalar için k değerleri 22–49 aralığında verilirken mevcut çalışmanın Al gradyan sonucu 60,7'dir.

Yazarlar bu karşılaştırmaya dayanarak 60,7 değerini yayımlanma tarihine kadar HfO₂ için bildirilen en yüksek deneysel k değerlerinden biri değil, doğrudan “highest k-value ... reported to date” olarak tanımlamaktadır.

Verianla bu ifadeyi yazarların literatür benchmark iddiası olarak aktarır. Bu makale dışında bağımsız, sistematik ve eksiksiz bir dünya literatürü taraması yapılmış gibi daha geniş bir doğrulama iddiasında bulunmaz.

Çalışmanın desteklediği sonuçlar

• Aynı toplam ALD çevrimleri korunarak Al katkısının film boyunca dağılımı değiştirilebilmiştir.
• XPS derinlik profili hedeflenen Al gradyanının fiziksel filmde oluştuğunu göstermiştir.
• Gradyan katkılı filmde ölçülen oksijen boşluğu bileşeni homojen filme göre daha düşüktür.
• Gradyan katkı 500°C'de tetragonal faz oluşumunu homojen katkıya göre daha erken görünür hâle getirmiştir.
• 600°C'de gradyan yapı daha yüksek tetragonal ve daha düşük monoklinik faz payı göstermiştir.
• 600°C'de dielektrik sabiti 44,7'den 60,7'ye yükselmiştir.
• 600°C'de EOT 0,96 nm'den 0,71 nm'ye düşmüştür.
• 600°C'de 1 V kaçak akım yoğunluğu yaklaşık bir mertebe azalmıştır.
• Performans artışı ek bir malzeme prosesinden ziyade ALD çevrim dizisinin değiştirilmesiyle elde edilmiştir.

Çalışmanın kanıtlamadığı veya doğrudan test etmediği sonuçlar

• Gradyan katkının bütün HfO₂ MIM geometrilerinde aynı k=60,7 değerini vereceği gösterilmemiştir.
• Al gradyan profilinin oluşturduğu mekanik stres doğrudan ölçülmemiştir.
• Farklı gradyan eğimleri sistematik olarak taranarak küresel optimum profil belirlenmemiştir.
• Uzun dönem dielektrik güvenilirliği, TDDB, kullanım ömrü veya seri üretim verimi raporlanmamıştır.
• 600°C'deki elektriksel iyileşmenin gerçek DRAM hücre dizisinde aynı biçimde gerçekleşeceği gösterilmemiştir.
• Bir mertebelik kaçak akım azalması 400, 500 ve 600°C'nin tamamı için geçerli değildir.
• 16 cihazlık k karşılaştırması için kaynakta açık bir p-değeri veya istatistiksel anlamlılık testi verilmemiştir.
• Çalışma bir ticari DRAM ürününün saha veya seri üretim doğrulaması değildir.

Çalışmanın Yöntemi ve Bulguları

Cihaz yapısı

Deney p-tipi yüksek katkılı Si substrat üzerinde yürütülmüştür. Substrat piranha çözeltisi, HF ve deiyonize su dizisiyle temizlenmiş; ardından alt elektrot için Ti/TiN yapı oluşturulmuştur.

ALD ile yaklaşık 11 nm Al katkılı HfO₂ biriktirilmiştir.

Dielektrik film sonrasında:

• 10 nm TiN capping layer,
• 30 nm Pt üst metal

sputtering yöntemiyle oluşturulmuştur.

Tavlama koşulları

Bu ayrıntı, sıcaklık serisini yorumlarken önemlidir. 400°C koşulunun tavlama süresi 500 ve 600°C koşullarından farklı olduğundan üç noktadaki değişim yalnız sıcaklığın izole edilmiş etkisi olarak değerlendirilmemelidir.

Malzeme karakterizasyonu

• Spektroskopik elipsometri: film kalınlığı.
• TEM: kesit ve film mikroyapısı.
• XPS: element bileşimi, kimyasal durumlar ve Al derinlik profili.
• GIXRD: kristal fazlar.
• Scherrer analizi: tetragonal pik üzerinden yaklaşık kristalit boyutu.

Elektriksel karakterizasyon

Akım yoğunluğu–gerilim ölçümleri Keithley 4200A parametre analizörüyle gerçekleştirilmiştir.

Kapasitans–gerilim ölçümleri Keysight B1500A Semiconductor Device Analyzer ile:

• 100 kHz frekansta,
• 30 mV AC sinyal kullanılarak

yapılmıştır.

Ölçüm sırasında üst elektrot biaslanmış, arka elektrot topraklanmıştır.

Üç sıcaklıktaki temel elektriksel sonuçlar

600°C neden kritik?

400°C'de iki katkılama yönteminin k değerleri neredeyse aynıdır. 500°C'de gradyan yapının avantajı ortaya çıkmaya başlar. 600°C'de ise XRD'deki tetragonal faz farkı ve elektriksel performans farkı birlikte belirginleşmektedir.

Bu nedenle kaynak, gradyan etkisinin tek başına katkı profiline değil aynı zamanda yeterli termal aktivasyona bağlı olduğunu göstermektedir.

Yöntemsel olarak güçlü taraf

Homojen ve gradyan örneklerde toplam ALD çevrimi ve toplam katkı çevrimi sayılarının aynı tutulması, gözlenen farkların yalnız “daha fazla Al kullanılması” açıklamasıyla yorumlanmasını büyük ölçüde engelliyor.

XPS'nin toplam bileşimin benzerliğini ve derinlik profilinin farklılığını ayrıca doğrulaması bu karşılaştırmayı güçlendiriyor.

Yöntemsel sınırlılıklar

• Yalnız belirli bir Al konsantrasyonu ve belirli bir gradyan reçetesi ayrıntılı olarak değerlendirilmiştir.
• Gradyanın oluşturduğu mekanik stres doğrudan ölçülmemiştir.
• 400°C tavlama süresi diğer iki sıcaklıktan farklıdır.
• Elektriksel sonuçların uzun dönem güvenilirliği değerlendirilmemiştir.
• Gerçek yüksek yoğunluklu DRAM hücre dizisi entegrasyonu gösterilmemiştir.
• 600°C'deki cihaz dağılımı gösterilmiş olsa da açık bir inferansiyel istatistik testi raporlanmamıştır.
• “En yüksek k” iddiası çalışmanın kendi benchmark literatür seti bağlamında değerlendirilmelidir.

Kaynak içi birim tutarsızlığı

Makalenin Tablo 2 başlığında kaçak akım için “Leakage current at 1 V (MV/cm)” ifadesi yer almaktadır. Buna karşılık aynı makalenin Tablo 1'i ve Şekil 4'ü kaçak akım yoğunluğunu A/cm² olarak göstermektedir. MV/cm elektrik alan birimidir ve kaçak akım yoğunluğu birimi değildir.

Verianla kaynak metni sessizce değiştirmemektedir. Bu nedenle mevcut makalede nicel kaçak akım karşılaştırmaları, birimin açıkça A/cm² olarak tanımlandığı kaynak Tablo 1 üzerinden yapılmıştır.

Kaynak ve Yöntem Notu

Tam özgün çalışma adı: Enhanced Dielectric Constant by Al Gradient Doping on Atomic-Layer-Deposited HfO2-Based Metal–Insulator–Metal Capacitor

Yazarlar: Taelim Lee; Jungwoo Bong; Hyunjin Lee; Ho-Sung Lee; Hyeon-Sik Jang; Hee-Tae Kim; Jae-Hyun Lee; Byung Jin Cho; Yeon-Ho Choi; Hagyoul Bae; Taehwan Moon; Keun Heo.

Sorumlu yazarlar: Hagyoul Bae, Taehwan Moon ve Keun Heo.

Eş birinci/eş katkı: Kaynakta eş birinci veya eş katkı beyanı bulunmamaktadır.

Kurumlar: Jeonbuk National University; Gyeongkuk National University; Korea Advanced Institute of Science and Technology; Sungkyunkwan University; National University of Singapore; Ajou University.

DOI:10.1002/aelm.202500679

Dergi: Advanced Electronic Materials.

Cilt / sayı / makale numarası: 12(3), e00679.

Yayınevi: Wiley-VCH GmbH.

Kaynak türü ve hakemlik durumu: Hakemli deneysel araştırma makalesi.

Makalenin alınma tarihi: 29 Eylül 2025.

Revizyon tarihi: 5 Aralık 2025.

Kabul tarihi: 29 Aralık 2025.

İlk çevrim içi yayın: Wiley resmî sayı kaydında 16 Ocak 2026 olarak listelenmektedir.

Resmî yayın bağlantısı:Wiley Online Library

Lisans: Creative Commons Attribution License (CC BY).

Finansman: National Research Foundation of Korea tarafından Kore hükümeti MSIP kapsamında RS-2023-00221295 ve RS-2025-23323228 hibeleri ile Ministry of Trade, Industry & Energy Materials/Parts Technology Development Program kapsamında 20022480 desteği bildirilmiştir.

Çıkar çatışması: Yazarlar çıkar çatışması bulunmadığını beyan etmektedir.

Veri erişilebilirliği: Kaynak “Research data are not shared.” ifadesini kullanmaktadır.

Bilimsel yorum sınırı

Bu çalışma Al gradyan katkılamanın belirli bir HfO₂ tabanlı MIM cihaz mimarisinde ve belirli ALD/tavlama koşullarında dielektrik performansı geliştirebildiğini göstermektedir. Sonuç bütün HfO₂ cihazları, bütün elektrot sistemleri, bütün Al konsantrasyonları veya bütün ALD araçları için evrensel bir optimum reçete anlamına gelmez.

Gradyan katkının tetragonal faz oluşumunu kolaylaştırmasının ilave film gerilimiyle ilişkili olduğu önerilmekte, ancak bu gerilim çalışmada doğrudan mekanik ölçümle belirlenmemektedir. Bu nedenle stres mekanizması ölçülmüş nihai kanıt olarak değil, yapısal ve elektriksel sonuçları açıklayan önerilen mekanizma olarak aktarılmıştır.

Kaynağın bir mertebelik kaçak akım azalması ifadesi özellikle 600°C'deki karşılaştırmayla desteklenmektedir. 500°C'de gradyan katkılı cihazın 1 V kaçak akımı homojen cihazdan biraz daha yüksek olduğundan bu sonuç bütün tavlama sıcaklıklarına genellenmemiştir.

Kaynağın 60,7 değerini “HfO₂ için bugüne kadar raporlanan en yüksek k-değeri” olarak tanımlaması yazarların kendi literatür karşılaştırmasına dayanmaktadır. Bu Verianla makalesi söz konusu ifadeyi bağımsız bir sistematik literatür taramasıyla doğrulanmış evrensel rekor olarak genişletmemektedir.

Kaynak Tablo 2'de kaçak akıma ilişkin birim başlığı ile aynı çalışmadaki Tablo 1 ve Şekil 4 arasında boyutsal bir uyumsuzluk bulunmaktadır. Bu nedenle kaçak akımın kesin sayısal aktarımında A/cm² birimini açıkça kullanan Tablo 1 temel alınmıştır.

Bu Verianla makalesindeki deneysel sonuçlar, mekanizma yorumları ve sayısal değerler yüklenen özgün çalışmaya dayanmaktadır. Dış kaynak yalnız makale kimliği, yayın tarihi ve derginin hakemlik statüsünün bibliyografik doğrulanması için kullanılmış; dışarıdan yeni deney sonucu veya yüksek-k performans değeri eklenmemiştir.